在电子学中，场效应管（Field-Effect Transistor, FET）是一种基于电压控制电流的半导体器件。它与双极型晶体管不同，其核心工作原理依赖于电场对导电通道的影响。场效应管广泛应用于各种电子电路中，因其高输入阻抗和低噪声特性而备受青睐。

场效应管的基本结构由三个主要部分组成：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。源极和漏极之间的区域被称为沟道（Channel），根据材料的不同，可以分为n型沟道和p型沟道。栅极则位于沟道上方，通过施加电压来控制沟道的宽度和导电能力。

当栅极未施加电压时，源极和漏极之间可能不存在导电路径，此时场效应管处于截止状态。一旦在栅极上施加适当的电压，就会在栅极和沟道之间形成一个电场，这个电场会吸引或排斥载流子（电子或空穴），从而改变沟道的电阻。如果电场足够强，沟道就会变得足够宽以允许电流从源极流向漏极，此时场效应管进入导通状态。

场效应管的工作模式主要有两种：耗尽型和增强型。耗尽型场效应管在无栅压的情况下就已经存在导电沟道，而增强型场效应管则需要特定的栅压才能产生导电沟道。无论是哪种类型，场效应管的核心优势在于它的开关特性和线性放大能力。

总之，场效应管的工作原理是通过控制电场来调节电流流动，这种机制使得它成为现代电子设备中不可或缺的一部分。无论是作为开关元件还是放大器，场效应管都以其独特的性能满足了现代电子技术的需求。